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帕克 自動化工業級原子力顯微鏡NX-Wafer

如果您對該產品感興趣的話,可以
產品名稱: 帕克 自動化工業級原子力顯微鏡NX-Wafer
產品型號: Park Systems帕克自動化工業級原子力顯微鏡NX-Wafer
產品展商: 韓國Park Systems
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簡單介紹

Park Systems自動化工業級原子力顯微鏡NX-Wafer 儀器種類:原子力顯微鏡 樣品臺移動范圍:275mm*200, 375mm*300mm 樣品尺寸:≤300mm 定位檢測噪聲:≤0.05nm


帕克 自動化工業級原子力顯微鏡NX-Wafer  的詳細介紹

自動化工業級原子力顯微鏡,帶來線上晶片檢查和測量

Park Systems推出業內噪聲*低的全自動化工業級原子力顯微鏡——XE-Wafer。該自動化原子力顯微鏡系統旨在為全天候生產線上的亞米級晶體(尺寸200 mm和300 mm)提供線上高分辨率表面粗糙度、溝槽寬度、深度和角度測量。借助True Non-Contact?模式,即便是在結構柔軟的樣品,例如光刻膠溝槽表面,XE-Wafer可以實現無損測量。

現有問題

目前,硬盤和半導體業的工藝工程師使用成本高昂的聚焦離子束(FIB)/掃瞄式電子顯微鏡(SEM)獲取納米級的表面粗糙度、側壁角度和高度。不幸的是,FIB/SEM會破壞樣品,且速度慢,成本高昂。

解決方案

NX-Wafer原子力顯微鏡實現全自動化的在線200 mm & 300 mm晶體表面粗糙度、深度和角度測量,且速度快、精度高、成本低。

益處

NX-Wafer讓無損線上成像成為可能,并實現多位置的直接可重復高分辨率測量。更高的**度和線寬粗糙度監控能力讓工藝工程師得以制造性能更高的儀器,且成本顯著低于FIB/SEM。

應用

串擾消除實現無偽影測量

獨特的解耦XY軸掃描系統提供平滑的掃描平臺

平滑的線性XY軸掃描將偽影從背景曲率中消除

**的特征特亮和行業優越的儀表統計功能

**的工具匹配

CD(臨界尺寸)測量

出眾的**且精密納米測量在提高效率的同時,也為重復性與再現性研究帶來*高的分辨率和*低的儀表西格瑪值。


精密的納米測量

媒介和基體亞納米粗糙度測量

憑借行業*低的噪聲和**的True Non-ContactTM模式,XE-Wafer在*平滑的媒介和基體樣品上實現***的粗糙度測量。

**的角度測量

Z軸掃描正交性的高精度校正讓角度測量時**度小于0.1度。



溝槽測量

獨有的True Non-Contact模式能夠線上無損測量小至45 nm的腐蝕細節。



**的硅通孔化學機械研磨輪廓測量

借助低系統噪聲和平滑輪廓掃描功能,Park Systems實現了****的硅通孔化學機械研磨(TSV CMP)輪廓測量。


Park NX-Wafer特點

全自動圖形識別

借助強大的高分辨率數字CCD鏡頭和圖形識別軟件,Park NX-Wafer讓全自動圖形識別和對準成為可能。

自動測量控制

自動化軟件讓NX-Wafer的操作不費吹灰之力。測量程序針對懸臂調諧、掃描速率、增益和點參數進行優化,為您提供多位置分析。

真正非接觸模式和更長的探針使用壽命

得益于磚利的高強度Z軸掃描系統,XE系列原子力顯微鏡讓真正非接觸模式成為可能。真正非接觸模式借助了原子間的相互吸引力,而非相互排斥力。 

因此,在真正非接觸模式下,探針與樣品間的距離可以保持在幾納米,從而蓋上原子力顯微鏡的圖像質量,保證探針**的鋒利度,延長使用壽命。

解耦的柔性XY軸與Z軸掃描器

Z軸掃描器與XY軸掃描器完全解耦。XY軸掃描器在水平面移動樣品,而Z軸掃描器則在垂直方向移動探針。該設置可實現平滑的XY軸測量,讓平面外移動降到*低。此外,XY軸掃描的正交性和線性也極為出色。

行業*低的本底噪聲

為了檢測*小的樣品特征和成像*平的表面,Park推出行業本底噪聲*低(< 0.5A)的顯微鏡。本底噪聲是在“零掃描”情況下確定的。當懸臂與樣品表面接觸時,在如下情況下測量系統噪聲:   

·0 nm x 0 nm掃描范圍,停在一個點   

·0.5增益,接觸模式 

·256 x 256像素

選項

高通量自動化

自動探針更換(ATX)

借助自動探針更換功能,自動測量程序能夠無縫銜接。該系統會根據參考圖形測量數據,自動校正懸臂的位置和優化測量設定。**的磁性探針更換功能,成功率高達99%,高于傳統的真空技術。

設備前端模塊(EFEM)實現自動晶體處理

您可以為NX-Wafer加裝自動晶片裝卸器(EFEM或FOUP或其他)。高精度無損晶片裝卸機械臂能夠***保證XE-Wafer用戶享受到快速且穩定的自動化晶片測量服務。

長距離移動平臺,助力化學機械研磨輪廓掃描

該平臺帶有專有的用戶界面,可支持自動化學機械研磨輪廓掃描和分析。平面外運動(OPM)在樣品為5 mm時小于2 nm;10 mm時小于5 nm;50 mm時小于100 nm

離子化系統

離子化系統可有效地消除靜電電荷。由于系統隨時可生產和位置正離子和負離子之間的理想平衡,便可以穩定地離子化帶電物體,且不會污染周邊區域。它也可以消除樣品處理過程中意外生成的靜電電荷。

 

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